NTD14N03R, NVD14N03R
TYPICAL CHARACTERISTICS
14
12
10
10 V
8V
7V
6V
5V
4.5 V
14
12
10
V DS ≥ 10 V
8
4V
8
6
4
3.5 V
6
4
T J = 25 ° C
2
0
0
2
4
6
3V
V GS = 2.5 V
8
10
2
0
0
1
T J = 125 ° C
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
0.20
0.16
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS = 10 V
0.20
0.16
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 125 ° C
0.12
0.08
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.12
0.08
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
T J = ? 55 ° C
0.04
0.04
V GS = 4.5 V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
0
2
4
6
8
10
12
14
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
1.8
1.6
I D = 5 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
1.4
1.2
1
0.8
100
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料
NTD15N06-001 MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
NTD15N06L-001 MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
NTD18N06L-001 MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
NTD18N06T4G MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
NTD20N03L27-001 MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
NTD20N06-001 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD20N06L-001 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD20P06L-001 MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
相关代理商/技术参数
NTD14N03RT4 功能描述:MOSFET 25V 14A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD14N03RT4G 功能描述:MOSFET 25V 14A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD15 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
NTD15N06 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts
NTD15N06-001 功能描述:MOSFET N-CH 60V 15A IPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTD15N06-1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA
NTD15N06AV1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
NTD15N06AVT4 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk